Tranzystory bipolarne

Stronę tą wyświetlono już: 98 razy

Typy tranzystorów bipolarnych oraz ich oznaczenia symboliczne

Tranzystory bipolarne to układy półprzewodnikowe, które stosowane są jako pojedyncze elementy elektroniczne najczęściej do dwóch zadań: wzmocnienia prądowego lub jako klucz otwierający i zamykający przepływ prądu. Tranzystory bipolarne występują w dwóch podstawowych odmianach: NPN i PNP a ich oznaczenie symboliczne można zobaczyć na poniższym rysunku.

a)Symbol tranzystora bipolarnego PNPb)Symbol tranzystora bipolarnego NPN
Rys. 1
Symbole tranzystora bipolarnego: a) NPN; b) PNP. Oznaczenia wyprowadzeń tranzystorów to:
  • B - baza;
  • E - emiter;
  • C - kolektor
Źródło:

Najczęściej spotykane tranzystory mają trzy wyprowadzenia. Istnieją odmiany wykonana w technologii montażu przewlekanego THT jak i powierzchniowego SMD. Przykład tych pierwszych można zobaczyć na poniższym rysunku.

Przykład tranzystorów wykonanych w technologii montażu przewlekanego
Rys. 2
Przykład tranzystorów wykonanych w technologii montażu przewlekanego
Źródło:

Uproszczony schemat zastępczy tranzystora

Często można spotkać schemat tranzystora jako połączenie szeregowe dwóch diod. Niestety taki schemat nie odpowiada rzeczywistemu stanowi rzeczy, albowiem zaprawdę powiadam wam tranzystor to nie dwie diody połączone z sobą szeregowo. Taki schemat pozwala (i to nie zawsze) sprawdzić, czy tranzystor działa poprawnie. Przykład takiego schematycznego uproszczenia tranzystora można zobaczyć na poniższym rysunku.

a)Uproszczony schemat tranzystora PNP jako dwóch diod połączonych szeregowob)Uproszczony schemat tranzystora NPN jako dwóch diod połączonych szeregowo
Rys. 3
Uproszczony schemat tranzystorów bipolarnych typu: a) PNP; b) NPN

Znając zasadę działania diody oraz powyższy schemat można sprawdzić, czy wylutowany tranzystor jest uszkodzony, czy też nie. Natomiast powyższy schemat nie wyjaśnia działania tranzystora.

Zasada działania i podstawowe parametry tranzystora

Tranzystory bippolarne umożliwiają sterowanie przepływem prądu o większym natężeniu pomiędzy emiterem E i kolektorem C za pomocu prądu o znacznie niższej wartości płynącego pomiędzy bazą B i emiterem E. Zależność natężenia prądu I przepuszczanego pomiędzy emiterem E i kolektorem C od natężenia prądu płynącego pomiędzy bazą B a emiterem E określa współczynnik wzmocnienia k, który niestety dla każdego tranzystora tego samego typu wyprodukowanego przez tego samego producenta będzie nieco inny. Ważne jednak jest aby rozumieć, że jeżeli prąd I płynący pomiędzy bazą B a emiterem E będzie wynosił np. 0.01 [A] to przy współczynniku wzmocnienia k = 100 prąd, jaki tranzystor przepuści pomiędzy emiterem E a kolektorem C będzie równy 1 [A].

Kolejnym parametrem tranzystora to maksymalne napięcie U i natężenie prądu I, jakie może popłynąć pomiędzy bazą B a emiterem E oraz pomiędzy kolektorem C i emiterem E. Dane te powinny się znajdować w nocie katalogowej każdego tranzystora. Inne parametry to maksymalna moc, przy której tranzystor nie wymaga dodatkowego chłodzenia.

Komentarze